Neste trabalho, estudamos a posição de átomos de F na estrutura
cristalina do Si. As amostras foram pré-amorfizadas utilizando um feixe
de Si de 200 keV e, após, implantadas com F. Então recristalizamos a
camada amorfa através do processo de Epitaxia de Fase Sólida (EFS).
Empregamos as técnicas de Espectrometria de Retroespalhamento
Rutherford, na condição de canalização iônica, e de Análise por Reação
Nuclear (NRA), através da reação ressonante ( ) O p F 16 19 , αγ , à 5 ,
340 keV, para determinar a posição dos átomos de F e, depois,
reproduzimos os resultados experimentais através do programa de
simulação computacional chamado Simulação Adaptada de Canalização de
Íons Rápidos em Sólidos (CASSIS - Channeling Adapted Simulation of Swift
Ions in Solids). Os resultados obtidos apontam para duas possíveis
combinações lineares distintas de sítios. Uma delas concorda com a
proposta teórica de Hirose et al. (Materials Science & Engineering B
– 91-92, 148, 2002), para uma condição experimental similar. Nessa
configuração, os átomos de F estão na forma de complexos entre átomos de
flúor e vacâncias (F-V). A outra combinação ainda não foi proposta na
literatura e também pode ser pensada como um tipo de complexo F-V.
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