No presente trabalho implantamos íons de Fe em amostras de Si que são
subseqüentemente recristalizadas pela técnica Cristalização Epitaxial
Induzida por Feixe de íons (IBIEC). Quatro técnicas de análise (RBS,
Canalização, Mõssbauer e TEM) foram utilizadas a fim de estudar os
seguintes aspectos: a) fases formadas pela técnica IBIEC em função da
concentração de Fe implantado; b) estabilidade térmica dos precipitados
-y-FeSi2; c) caracterização da fase -y-FeSi2 pela técnica Mõssbauer e a
existência ou não de um carácter magnético para esta fase. Nossos
experimentos mostraram os seguintes resultados. Em baixa concentração de
Fe (C<llat.%) somente a fase -y-FeSi2 é formada. No entanto, quando
uma concentração crítica é atingida (llat.%), então a fase a também é
verificada. Finalmente, uma coexistência de três fases (fases -y, a e
,3-FeSi2) é observada se a concentração de Fe é maior que 2lat.%. Este é
um fenômeno singular uma vez que a fase -y é metaestável e a fase a é
estável somente em temperaturas mais elevadas que ,950°C (o processo
IBIEC é realizado em 320°C). Os experimentos de estabilidade térmica
mostraram que a fase 7-FeSi2 é estável entre 600°C e 730°C, sendo a
temperatura exata uma função da concentração de Fe implantado.
Concluiu-se que a estabilidade da fase y é sustentada pelo pequeno
tamanho dos precipitados de FeSi2 (< 10 nm). Além disso, a
transformação y --+ /3 é devida ao aumento de tamanho dos precipitados
baseado no mecanismo de crescimento de Ostwald. Os experimentos
Mõssbauer mostraram que a fase fase -y-FeSi2 não é magnética. Esta
característica foi deduzida de medidas realizadas em 4 K, que não
mostram qualquer evidência de desdobramento magnético no espectro
Mõssbauer. Medidas em temperatura ambiente indicam que a fase -y-FeSi2 é
desordenada. No entanto, após recozimentos adicionais, observou-se
pela primeira vez um singleto no espectro, além do dubleto original.
Mostrou-se que o singleto caracteriza a fase -y ordenada (condizente com
a sua estrutura cúbica) enquanto que o dubleto corresponde àquela com
defeitos (a interface FeSi2 /Si provavelmente também deve ser
considerada como "defeito"). Nós gostaríamos de enfatizar que medidas
prévias, onde o processo de recristalização era unicamente térmico (SPE e
RTA), falharam na obtenção da fase -y-FeSi2. Nós então tentamos
justificar porque a técnica IBIEC é tão especial para produzir, de uma
maneira seletiva, a fase -y-FeSi2. Por último, propõe-se um modelo
microscópico para a precipitação -y-FeSi2 por IBIEC.
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