Na presente tese, foi investigado o crescimento térmico de filmes
dielétricos (óxido de silício e oxinitreto de silício) sobre carbeto de
silício. Além disso, os efeitos da irradiação iônica do SiC antes de sua
oxidação, com o intuito de acelerar a taxa de crescimento do filme de
SiO2, também foram investigados. A tese foi dividida em quatro
diferentes etapas. Na primeira, foram investigados os estágios iniciais
da oxidação térmica do SiC: mudanças no ambiente químico dos átomos de
Si foram observadas após sucessivas etapas de oxidação térmica de uma
lâmina de SiC. A partir desses resultados, em conjunto com a análise
composicional da primeira camada atômica da amostra, acompanhou-se a
evolução do processo de oxidação nesses estágios iniciais. Na etapa
seguinte, foram utilizadas as técnicas de traçagem isotópica e análise
por reação nuclear com ressonância estreita na curva de seção de choque
na investigação do mecanismo e etapa limitante do crescimento térmico de
filmes de SiO2 sobre SiC. Nesse estudo, compararam-se os resultados
obtidos de amostras de óxidos termicamente crescidos sobre Si e sobre
SiC. Na terceira etapa, foram investigados os efeitos da irradiação
iônica do SiC antes de sua oxidação nas características finais da
estrutura formada. Finalmente, comparam-se os resultados da
oxinitretação térmica de estruturas SiO2/SiC e SiO2/Si utilizando dois
diferentes gases: NO e N2O.
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