Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e caracterização de filmes
finos e ultra-finos de óxido (SiO2) e oxinitreto de silício (SiOxNy)em
sistema "home-made"de plasma remoto (RP) de baixa temperatura. O sistema
RP, com gerador de microondas de 2.45GHz e potência de saída de
6OOW,permite a formação de filmes tanto por processos de deposição
(RPCVD) como pelo processo de oxidação (RPO). Os filmes foram
caracterizados por elipsometria, perfilometria, por taxa de decapagem,
microscopia eletrônica de transmissão (TEM), por espectrometria de
absorção de intra-vermelho (FTIR), por espectrometria de fotoelétron de
raios-x (XPS), por espectrometria de massa do íon secundário SIMS),
medidas de capacitância versus tensão (C-V) e medidas de corrente versus
tensão (1-V). As espessuras dos filmes produzidos variaram de 3nm a
160nm, as densidades de carga efetivas entre 1.7xl010/cm2eT5xlp12/cm2 e o
campo de ruptura dielétrica foi de até 18.3MV/cm...Observação: O
resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese
digital
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