Resumo: Este trabalho descreve a obtenção e a caracterização de filmes
finos e ultra-finos de oxinitreto de silício (SiOxNy)através de
implantação de íons moleculares de nitrogênio (N2+) com baixa energia em
substrato de silício com posterior oxidação térmica. Os filmes foram
caracterizados por elipsometria (espessura), por espectrometria de
absorção do infta-vermelho (FTIR) (ligações químicas) e por
espectrometria de massa do íon secundário (SIMS) (distribuição de
nitrogênio). Estes filmes foram utilizados como isolantes de porta de
transistores nMOSFETs e capacitores MOS. Caracteristicas elétricas como
mobilidade entre 390 cm ² /Vs a 530 cm²/vs, e inclinação (slope) na
região de sub-limiar entre 7OmV/dec e 15OmV/dec foram obtidas nos
nMOSFETs. Nos capacitores MOS foram feitas medidas de capacitância x
tensão (C-V) (espessura) e de corrente x tensão (corrente de fuga).
Através das curvas C-v foram obtidas espessuras equivalentes (EOT) entre
2.9nm e 15.7nm. Os filmes de oxinitreto com EOT entre 2.9 cm 4.3 cm
apresentaram densidades de corrente de fuga entre 4.5mA/cm² e 50nA/cm² .
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