23 de fev. de 2012

Estudo de filmes finos de TiOx crescidos por sputtering para aplicações fotoeletroquimicas

Resumo: Neste trabalho foram estudadas as propriedades morfológicas, estruturais e elétricas de filmes finos de TiOx depositados pelo método de rf-sputtering em função da temperatura de aquecimento do substrato (Ts) e do fluxo de oxigênio (FO2). Também foi explorada a possibilidade de aplicação dos filmes na detecção de fenol em água através da medida da fotocorrente em uma célula fotoeletroquímica com eletrodo de TiOx.O valor de x foi obtido por espectrometria de retroespalhamento Rutherford (RBS), a razão anatase/rutilo (A/R) e o tamanho de grão (D) por difração de raios-X (XRD), e a morfologia e a rugosidade por microscopia de força atômica (AFM). Os estados de oxidação foram determinados por espectroscopia de fotoelétrons (XPS). A eficiência de conversão fóton ? elétron ( f ) foi determinada a partir de medidas da fotocorrente na célula fotoeletroquímica. A maioria dos filmes obtidos é subestequiométrica (1.80

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