Crescimento e caracterização de ligas semicondutoras III-V obtidas pelo metodo dos organometalicos (MOVPE)

Apresentamos neste trabalho os aspectos mais importantes da técnica MOVPE com ênfases na construção do sistema, no crescimento de camadas epitaxiais e na caracterização destes. Relataremos a utilização de dois sistemas: um que participamos do projeto e construção e operamos à pressão atmosférica e o aprimoramento e utilização de um outro sistema que funciona a baixa pressão. Nos sistemas acima citados obtivemos materiais básicos e estruturas quânticas de: GaAs, GaAlAs, InP, GaInAs, AlGaInAs e GaInAsP, estruturas estas que possuem o mesmo parâmetro de rede que o substrato. Obtivemos também estruturas tensionadas do tipo GaInAs/GaAs, onde o substrato e as camadas possuem parâmetros de rede diferentes. A qualidade destes crescimentos foi avaliada através de várias técnicas de caracterização como fotoluminescência, efeito Hall, ataques químicos, microscopia óptica e eletrônica, AES, TEM, SIMS, etc. Estruturas de dispositivos laser de GaAs/GaAlAs e AlGaAs/InP também serão apresentadas. A parte inicial deste trabalho é dedicada à descrição de vários métodos de crescimento e à comparações entre eles. Em seguida apresentamos o projeto, construção e utilização do sistema MOVPE. Nos capítulos seguintes serão apresentadados o crescimento e caracterização de camadas binárias, ternárias e quaternárias; incluindo no capítulo IV a solução do problema de flutuação de composição, reportada na literatura mas sem que tenha sido encontrada a causa real desta. No Anexo 1 apresentamos a literatura publicada ou apresentada durante o trabalho de lactação desta tese. Para acessar a Tese, clique aqui.