Foi estabelecido um processo para a fabricação em laboratório de
Transistores Bipolares de Heterojunção (HBTs), em AIGaAs/GaAs. O
trabalho consistiu basicamente do estudo das etapas elementares de
fabricação. Foi projetado um conjunto de máscaras incluindo dispositivos
em diferentes tamanhos e estruturas de teste. Com este conjunto de
máscaras, as etapas de processamento de HBTs foram estudadas e
transistores HBT foram fabricados. Foi analisado um método para se
determinar com precisão o ponto de parada de etch úmido, consistindo da
medida da currente reversa em um diodo Schottky formado entre a
superfície semicondutora e uma ponta de tungstênio. Com este método foi
possível expor com precisão a camada de base. A abertura de vias de
contato em paredes em ângulo controlado foi obtida transferindose o
ângulo de inclinação de uma parede de fotorresiste para a parede da via
em polyimide. Estruturas de metal para contatos ôhmicos baseadas em
AuGe, para contatos n+ e Ti/Pt/ Au, para camadas p+, ambas obtidas por
evaporação por feixe de elétrons, seguida de um ciclo térmico para liga
ou sinterização, foram analisadas para o uso em dispositivos de pequena
geometria ...Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado
no texto completo da tese digital.
Para acessar a Tese, clique aqui.
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