A tecnologia descrita neste trabalho foi desenvolvida para obtenção de
feixe de íons de Érbio usando um equipamento implantador de íons
tipicamente voltado à aplicações em microeletrônica. O Érbio é um
elemento químico fundamental, que quando da sua incorporação em
substratos ópticos e/ou semicondutores, dá origem a radiação estimulada,
essencial em dispositivos fotônicos. A implantação iônica do Érbio em
contraste com a difusão apresenta as vantagens inerentes a este processo
como por exemplo: perfil vertical, doses elevadas, processamento com
baixa energia térmica entre outras. A tecnologia aqui detalhada, faz uso
da fonte de íons original do equipamento e focaliza atenção na câmara
de arco da fonte. Átomos de Érbio duplamente ionizados foram produzidos
por um processo de sputtering enriquecido por plasma reativo e
acelerados com a voltagem de 200kV, atingindo feixes com energias
próximas de 400keV. Correntes de até 100mA foram obtidas o que resultam
em doses da ordem de 1 x 1017cm-2 parâmetros estes, suficientes para
fabricação de dispositivos fotônicos - optoeletrônicos planare.
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