Estudamos processos de dopagem do diamante crescido por deposição
química a partir da fase vapor (diamante CVD) com a introdução de
impurezas dopantes durante o crescimento do diamante em reatores do tipo
filamento-quente. Focalizamos nossa pesquisa na dopagem do diamante
com boro, ou nitrogênio, ou enxofre, visando obter diamantes com
propriedades semicondutoras com condutividade eletrônica (tipo n) ou
condutividade por lacunas (tipo p). Foram utilizadas contaminações
intencionais utilizando: trimetil borano (B(CH3)3), ou amônia (NH3), ou
dissulfeto de carbono (CS2), misturados com metano e diluídos em
hidrogênio. As amostras foram caracterizadas por microscopia eletrônica
de varredura (SEM), espectroscopia Raman, espectroscopia de
foto-elétrons excitados por raios X (XPS), espectroscopia de emissão de
raios X excitado por feixe de prótons (PIXE) e efeito Hall. As
dopagens do diamante do tipo p e do tipo n foram obtidas com
contaminações de boro e enxofre, respectivamente. O diamante dopado com
nitrogênio não apresentou propriedades semicondutora.
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