Nesta Dissertação, foram investigadas propriedades físico-químicas de
estruturas dielétrico/SiC e das camadas interfaciais formadas.
Utilizando análises por reação nuclear, verificou-se que a presença de
uma camada interfacial de oxicarbetos de silício, gerados durante a
oxidação térmica do SiC, e não removidos através de ataque químico por
via úmida, reduz a taxa de crescimento térmico de óxido sobre esse
substrato. O efeito da utilização de atmosfera contendo nitrogênio nas
características do dielétrico e na espessura da camada interfacial
formada foi investigado por análises com feixes de íons, Refletometria
de Raios-X e Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por Raios-X. Foi
observado que a incorporação de nitrogênio nas estruturas dielétrico/SiC
reduz a espessura da camada interfacial formada, o que foi relacionado
com a melhoria das propriedades elétricas dessas estruturas. A
investigação do transporte atômico de oxigênio e da estabilidade térmica
de filmes de óxido de alumínio depositados sobre SiC foi realizada
utilizando, principalmente, Espectroscopia de Fotoelétrons induzidos por
Raios-X e análise por reação nuclear. Observou-se que tratamentos
térmicos a temperaturas elevadas induzem à formação de SiO2 e de uma
camada interfacial entre os filmes de óxido de alumínio depositados e o
SiC, além de promoverem a cristalização e um aumento na densidade do
filme de Al2O3.
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