Neste trabalho apresentamos medidas de perfil de distribuição de ions
para uma série de elementos (29‘Zi;:.03) implantados a diversas energias
entre 10 a 390 keV em Silicio amorfo. Estas medidas são comparadas com
os novos cálculos de Biersack e Ziegler. Para altas energias (E>70
keV) observa-se que as predições teóricas apresentam boa concordância
com os dados experimentais. Nas energias mais baixas encontramos
diversos casos onde as medidas são fortemente subestimadas pelos
cálculos. Mostramos que tais diferenças podem ser atribuídas ao
recentemente observado efeito Zl para Oscilações em Alcance de Tons. Os
dados experimentais são analisados comparando-os com cálculos de alcance
baseados em simulações de uma diminuição da energia de interação
durante as colisões atómicas de baixas energias. Esta aproximação é
fenomenologicamente relacionada com modificações nas distribuições de
carga durante as colisões. Os resultados obtidos apresentam uma melhor
concordância com nossos dados experimentais e com a grande maioria dos
dados de alcances de baixas energias em alvos de Sillco existentes na
literatura.
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