Nesta dissertação estudamos a possibilidade de uso de implantação iônica
de estanho para pré-amorfização do silício cristalino e sua
aplicabilidade na tecnologia de fabricação de junções rasas. Foi
estudada a amorfização de Si em doses altas (~ 1x1016 cm-2) de
implantação de Sn. Nas pesquisas foram empregadas as técnicas de
espectroscopia Mössbauer e de Retroespalhamento de Rutherford Canalizado
(RBS/C). Mesmo para estas doses muito altas, foi observado 93% de
substitucionalidade de Sn na rede cristalina de Si, após tratamento
térmico, o que corresponde a duas ordens de grandeza a mais que a máxima
solubilidade sólida. Doses médias (1x1012 – 3x1014 cm-2) de implantação
de Sn foram usadas para encontrar a dose mínima de amorfização, que foi
de 1x1014 cm-2, medida com RBS/C. Amostras pré-amorfizadas com
implantação iônica de Sn e energias 120 keV e 240 keV foram
posteriormente implantadas com BF2 + de 50 keV e dose 5x1014 cm-2 para
obtenção de junção rasa tipo p+-n. Diferentes regimes de recozimento
térmico rápido foram utilizados. Técnicas de espectroscopia de massa de
íons secundários (SIMS) e medidas elétricas foram usadas para
caracterização destas junções. O melhor resultado foi com
pré-amorfização de Sn de 240 keV e recozimento de 900 ºC, 30s. A
profundidade de junção foi de 115 nm e a resistência de folha de ~ 175 /
[Link]
Nenhum comentário:
Postar um comentário
Comente, discuta, participe!