Foi estudado o comportamento do As (dopante tipo n) em dois tipos
diferentes de substratos de Si: bulk e SIMOX (Separation by IMplanted
OXygen). Ambos os substratos receberam uma implantação de 5x1014 cm-2 de
As+ com energia de 20 keV. Após as implantações, as amostras foram
recozidas por um dos dois processos a seguir: recozimento rápido (RTA,
Rapid Thermal Annealing) ou convencional (FA, Furnace Annealing). A
caracterização física e elétrica foi feita através do uso de diversas
técnicas: SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), RBS (Rutherford
Backscattering Spectrometry), MEIS (Medium Energy Ion Scattering),
medidas de resistência de folha, medidas Hall e medidas de perfil de
portadores por oxidação anódica. Na comparação entre os substratos
SIMOX e Si bulk, os resultados indicaram que o SIMOX se mostrou superior
ao Si bulk em todos os aspectos, ou seja, menor concentração de
defeitos e menor perda de dopantes para a atmosfera após os
recozimentos, maior concentração de portadores e menor resistência de
folha. A substitucionalidade do As foi maior no SIMOX após RTA, mas
semelhante nos dois substratos após FA. Na comparação entre RTA e FA, o
primeiro método se mostrou mais eficiente em todos os aspectos
mencionados acima. As explicações para o comportamento observado foram
atribuídas à presença de maior concentração de vacâncias no SIMOX do que
no Si bulk e à interação destas vacâncias com os dopantes.
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