Este trabalho é uma contribuição ao desenvolvimento de transistores
MESFETs em arseneto de gálio para uso em Circuito Integrados (CIs) de
alta velocidade. Inicialmente são descritos processos de fabricação em
arseneto de gálio: a obtenção de substratos monocristalinos, a
implantação iônica, o recozimento para ativar os dopantes, a realização
de contatos. É desenvolvido o modelo matemático que rege sua física do
estado sólido, usado pelo programa PRISM. Os resultados obtidos com o
programa de simulação de processos SUPREM-IV.GS foram fornecidos ao
programa PRISM, que efetua uma análise do comportamento elétrico do
MESFETs fabricados; esse procedimento foi realizado de forma iterativa,
até serem obtidos parâmetros apropriados para a fabricação de
transistores de enriquecimento e de depleção para CIs digitais.
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