É bem conhecido que técnicas experimentais que fazem uso de feixes
iônicos induzem sobre a superfície dos alvos irradiados o depósito de
diversos tipos de impurezas. Este depósito é causado pelas interações
entre o feixe de íons, as moléculas de gás residual no interior das
câmaras de irradiação e a superfície da amostra. Apesar do fato deste
processo poder alterar significativamente os parâmetros de irradiações,
bem como afetar a análise de materiais tratados, os parâmetros
experimentais que influenciam na deposição das impurezas ainda não são
bem conhecidos e nem o depósito se encontra suficientemente
quantificado. No presente trabalho relatamos um estudo quantitativo da
deposição de carbono sobre amostras de Si (100) irradiadas com feixes de
He e H. A deposição de carbono foi determinada em função da fluência de
irradiação, variando diversos parâmetros experimentais, tais como:
pressão na câmara de irradiação, temperatura do alvo, densidade de
corrente do feixe, energia do feixe e o estado da carga do íon. Em todos
os casos a análise das amostras irradiadas foi feita pela técnica de
Retroespalhamento de Rutherford em direção Canalizada (RBS/C) e através
da reação nuclear ressonante 12C(a, a´)12C na energia de 4265 keV. Os
resultados experimentais mostram que se consegue minimizar a deposição
de C através: a) da redução do tempo de irradiação, b) da redução da
pressão na câmara de irradiação, c) do aumento da temperatura do alvo
durante a irradiação e d) minimização do poder de freamento do íon no
alvo.
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