Neste trabalho estudamos experimentalmente, através da técnica de
retroespalhamento de Rutherford, a distribuição de vários elementos
C295. 2.15 83) implantados em filmes de Be, C e SiOz, na faixa de
energia entre 10 e 400keV. Os resultados experimentais foram comparados
com as predições teóricas desenvolvidas por Ziegler. Biersack e Littmark
C2BL). Nossos resultados apresentam várias características distintas:
para substratos de SiOz, obtivemos um acordo muito bom entre valores
teóricos e experimentais do alcance projetado Rp e alguns desvios na
largura do perfil de implantação ARp. Contudo, para os alvos de C e Be.
encontramos grandes discrepâncias com os cálculos de ZBL. Para Bi, Pb,
Au, Yb, Er, Eu e Cu em C e para Bi, Pb e Cu em Be. os valores
experimentais de alcance excedem os teóricos em mais de 40%, ficando em
média entre 25 e 30%. As diferenças são praticamente independentes da
energia de implantação. Além disso, as larguras longitudinais do perfil
de implantação também são fortemente subestimadas pelos cálculos
Cchegando até a um fator 2). É mostrado que esses desacordos não podem
ser atribuídos a imprecisões no potencial elástico ZBL ou ao poder de
freamento eletrônico ZBL. Entretanto, se considerarmos a inclusão de
colisões inelásticas no cálculo do poder de freamento nuclear, o poder
de freamento total pode ser significativamente reduzido, nos casos de
íons pesados incidindo em alvos leves. Como conseqüência deste
tratamento, conseguimos obter um excelente acordo com os nossos
resultados experimentais.
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